2N3906 Transistor
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Referencia: 2N3906
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Product Description
Transistor PNP.
Características:
IC: 200 mA.
PD: 625 mW.
VCEO: 40 V.
VCBO: 40 V.
VEBO: 5 V.
hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)
fT: 250 MHz min.
VCE(sat): 0.4 V max. (@ IC 50 mA)
Encapsulado: TO-92