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Transistor PNP.Características:IC: 200 mA.PD: 625 mW.VCEO: 40 V.VCBO: 40 V. VEBO: 5 V.hFE: 100 a 300 (@ IC 10 mA y VCE 1 V), 30 min. (@ IC 100 mA y VCE 1 V)fT: 250 MHz min.VCE(sat): 0.4 V max. (@..

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Las imágenes son ilustrativas, las dimensiones y colores pueden variar.BC327 es un transistor de silicio epitaxial NPN apto para etapas de controlador AF, etapas de salida de baja potencia, aplicacion..

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Transistor BC547C pequeña señal diseñado para su uso como amplificadores de uso general y los interruptores que requieren corrientes de colector a 300 mA.Complemento BC556, BC557, BC558Alto voltajeVol..

Las imágenes son ilustrativas, los colores y dimensiones pueden variarEl BC548B es un transistor bipolar de silicio epitaxial NPN apto para aplicaciones de conmutación y amplificador.Complementa al BC..