Diferencia entre MOSFET y JFET

Ambos son transistores de efecto de campo (FET) controlados por voltaje, utilizados principalmente para amplificar señales débiles, principalmente señales inalámbricas.
Son dispositivos UNIPOLARES que pueden amplificar señales analógicas y digitales. Un transistor de efecto de campo (FET) es un tipo de transistor que altera el comportamiento eléctrico de un dispositivo que utiliza un efecto de campo eléctrico.

Se utilizan en circuitos electrónicos desde tecnología de RF hasta conmutación y control de potencia hasta amplificación. Utilizan el campo eléctrico para controlar la conductividad eléctrica de un canal. El FET se clasifica en JFET (Transistor de efecto de campo de unión) y MOSFET (Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico). Ambos se utilizan principalmente en circuitos integrados y son bastante similares en los principios de funcionamiento.

TRANSISTOR JFET

El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son lacompuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Un transistor JFET esta formado por el semiconductor que se conecta a las terminales de fuente y drenaje. El material restante está conectado entre si para directamente a la compuerta. Cabe señalar que en la unión tenemos una región de empobrecimiento. La polarización del JFET esta en función a la diferencia de potencial entre los materiales semiconductores. Esto aumenta la región de agotamiento y regula la cantidad de corriente que circula en el canal drenaje-fuente. Una vez que el voltaje genere una región de agotamiento suficientemente grande, se tiene la condición de estrangulamiento.

TRANSISTOR MOSFET

En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de manera interna a la terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un material tipo n a través de un contacto metálico, sin embargo en este caso no tenemos un canal que conecte estas terminales. La compuerta, sigue conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades dieléctricas. A continuación, se observan los transistores MOSFET de enriquecimiento canal N y canal P.

Principales diferencias entre MOSFET y JFE

1. FET solo puede funcionar en el modo de agotamiento, pero el MOSFET puede funcionar tanto en el modo de mejora como en el modo de agotamiento. Es una diferencia muy importante entre JFET y MOSFET.
2. JFET tiene menos impedancia de entrada que MOSFET. La impedancia de entrada de un JFET es 109 Ω mientras que la impedancia de entrada de un MOSFET es 1015 Ω
3. Como el JFET tiene menos impedancia de entrada, proporciona una ganancia más alta, pero el MOSFET tiene una ganancia más baja en comparación con JFET.
4. La resistencia al drenaje del JFET es mayor que la del MOSFET. La resistencia al drenaje del JFET es 1 MΩ mientras que la resistencia al drenaje del MOSFET es 50KΩ. Por esta razón, la curva de características de salida del JFET es más plana que las características de salida del MOSFET.
5. La corriente de fuga de la puerta de un JFET convencional es de aproximadamente 10-8 A, mientras que la corriente de fuga de la puerta de un MOSFET convencional es de 10-13 A
6. El JFET ofrece una velocidad de conmutación baja y un ruido de parpadeo bajo que el MOSFET. Como el MOSFET proporciona una alta velocidad de conmutación, se utiliza para aplicaciones de conmutación de muy alta velocidad.
   A continuación se dan otras diferencias.
7. El proceso de fabricación del MOSFET es más fácil que la fabricación de JFET porque se utiliza una capa de metal en MOSFET.
8. JFET solo puede funcionar con voltaje de entrada inverso, no puede funcionar correctamente si se da el voltaje de entrada directo pero el MOSFET funciona con ambos, de hecho, puede funcionar con el voltaje de entrada grande.
9. JFET proporciona un ruido muy bajo que MOSFET, aunque el MOSFET tiene una velocidad de conmutación muy alta que JFET.
10. El JFET tiene menos retardo de propagación en comparación con el MOSFET porque hay más efecto capacitivo en el MOSFET.
11. JFET se usa en pequeños amplificadores, interruptores electrónicos, circuitos digitales, circuitos sensibles donde es obligatorio un ruido muy bajo, pero MOSFET se usa en circuitos de control de velocidad del motor, circuitos de amplificadores de potencia, etc. donde la conmutación de alta velocidad es obligatoria.